17 - PLL与CDR

🎯 课程目标

1. PLL基本原理

PLL(Phase-Locked Loop,锁相环)是一种反馈控制系统,使输出信号的相位和频率与参考信号同步。在SERDES中,PLL为TX提供精确的发送时钟。

1.1 PLL的组成

┌──────────────────────────────────────────────┐
│                PLL架构                         │
│                                                │
│  f_ref ──→ [PFD] ──→ [CP] ──→ [LF] ──→ [VCO] ──→ f_out
│             ↑                                  │
│             └──────── [分频器 N] ←──────────────┘
│                                                │
│  PFD: 鉴频鉴相器 (Phase-Frequency Detector)     │
│  CP:  电荷泵 (Charge Pump)                     │
│  LF:  环路滤波器 (Loop Filter)                 │
│  VCO: 压控振荡器 (Voltage-Controlled Oscillator)│
│  N:   分频比                                    │
│                                                │
│  锁定时: f_out = N × f_ref                     │
│  例: f_ref=100MHz, N=25 → f_out=2.5GHz        │
└──────────────────────────────────────────────┘

1.2 PLL关键参数

参数定义典型要求
锁定范围PLL能锁定的频率范围覆盖所有工作频率
捕获时间从失锁到锁定的时间< 100μs
环路带宽PLL跟踪参考的频率范围f_ref/10 ~ f_ref/20
相位噪声输出时钟的频谱纯度< -100dBc/Hz @1MHz偏移
抖动时钟边沿的时间不确定性< 1ps rms (RJ)
杂散参考频率处的杂散信号< -60dBc

2. VCO设计

VCO是PLL的核心,将控制电压转换为频率输出。SERDES PLL通常使用LC-VCO(高频率、低相位噪声)或Ring-VCO(宽调谐范围、面积小)。

2.1 LC-VCO原理

          VDD
           │
      ┌────┤────┐
      │    │    │
      │  ┌─┴─┐  │
      │  │Mp1 │  │   交叉耦合PMOS
      │  └─┬─┘  │   (负阻补偿LC损耗)
      │    │    │
      │  ┌─┴─┐  │
      │  │Mn1 │  │   交叉耦合NMOS
      │  └─┬─┘  │
      │    │    │
      │   L    C │   片上电感+电容
      │   │    │ │   (决定振荡频率)
      │    │    │
      │  ┌─┴─┐  │
      │  │Mn2 │  │   尾电流源
      │  └─┬─┘  │   (控制振荡幅度)
      └────┤────┘
           │
          VSS

振荡频率: f0 = 1/(2π√(LC))
调谐: Cvar (变容二极管/MOS电容) 受Vctrl控制

2.2 Ring-VCO原理

Ring VCO使用奇数级反相器环形连接:

3. CDR实现

CDR从接收数据中恢复时钟,并用恢复的时钟采样数据。CDR是SERDES RX的核心。

3.1 CDR架构

┌──────────────────────────────────────────┐
│            CDR架构                         │
│                                            │
│  RX数据 ──→ [鉴相器] ──→ [环路滤波] ──→ [VCO] ──→ 恢复时钟
│               ↑                              │
│               └──────────────────────────────┘
│                                            │
│  恢复时钟 ──→ [采样器] ──→ 恢复数据          │
│                                            │
│  鉴相器: Alexander/Bang-Bang型              │
│  环路滤波: 数字或模拟                        │
│  VCO: 通常与TX PLL共享或独立                │
└──────────────────────────────────────────┘

3.2 Bang-Bang鉴相器

Bang-Bang(BB)鉴相器是最常用的CDR鉴相器,在每个UI采样3次:早采样、中心采样、晚采样。

Bang-Bang鉴相器工作原理

优点:电路简单,适合高速实现

缺点:Bang-Bang行为引入抖动(极限环)

4. SPICE仿真:PLL瞬态行为

* 17-pll-transient.sp
* PLL瞬态行为仿真(简化模型)

* 参考时钟
Vref ref 0 pulse 0 1.0 0 0.1n 0.1n 5n 10n

* 鉴相器(简化:输出与相位差成正比)
EPFD pfd_out 0 VALUE={V(ref)-V(fb)}

* 环路滤波器(RC低通)
Rlf pfd_out vctrl 10k
Clf vctrl 0 10p

* VCO(简化:频率与控制电压成正比)
GVCO vco_out 0 VALUE={V(vctrl)*1e9}
Fvco vco_out 0 VCO_FREQ 1
* 简化模型:输出频率 = f0 + Kvco * Vctrl
BVCO vco_out 0 V=SIN(2*3.14159*1e9*V(vctrl)*TIME)

* 分频器(N=25)
Bdiv fb 0 V=V(vco_out)/25

.tran 0.1n 10u
.measure tran lock_time WHEN V(vctrl)=0.8 CROSS=1
.measure tran freq_settled FIND I(VCO_FREQ) AT=8u
.print tran V(ref) V(vctrl) V(vco_out) V(fb)
.end
✅ 仿真验证结果

PLL仿真关键结果:

5. 练习

📝 练习1:PLL频率计算

一个PLL的参考频率f_ref=125MHz,VCO输出频率需要覆盖2.5-3.125GHz。计算整数分频器N的范围。如果需要1MHz频率分辨率,是否需要小数分频器?

查看答案

N_min = 2500MHz/125MHz = 20

N_max = 3125MHz/125MHz = 25

频率分辨率 = f_ref/N = 125MHz/N

N=20时: 步进=6.25MHz; N=25时: 步进=5MHz

1MHz分辨率需要小数分频器 ✅

6. 关键要点总结

🔑 本章核心要点
  1. PLL是SERDES TX的时钟源,通过反馈锁定到参考频率
  2. LC-VCO提供低相位噪声,Ring-VCO提供宽调谐范围
  3. CDR从接收数据中恢复时钟,Bang-Bang鉴相器最常用
  4. 环路带宽决定PLL的跟踪速度和抖动过滤特性
  5. 相位噪声和抖动是PLL/CDR最重要的性能指标
  6. 小数分频器提供精细频率分辨率,但引入杂散

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5. CDR抖动传递函数

CDR的抖动传递函数(JTF)描述了输入抖动到输出抖动的关系:

JTF(f) = 1/(1 + H_loop(f))

环路带宽内的抖动被CDR跟踪(低频抖动通过),环路带宽外的抖动被滤除(高频抖动衰减)。

5.1 抖动容限

抖动容限(Jitter Tolerance)是CDR能承受的最大输入抖动,是CDR最重要的性能指标:

频率范围抖动类型容限要求
低频漂移CDR跟踪,容限很高
f_loop/10~f_loop中频抖动部分跟踪,容限中等
>f_loop高频抖动CDR无法跟踪,容限=0.5UI

6. 时钟架构选择

SERDES的时钟架构有多种选择:

时钟架构对比

7. 参考时钟架构

SERDES的参考时钟质量直接影响抖动性能。

7.1 参考时钟源

时钟源精度抖动成本
晶体振荡器(XO)±25ppm<0.5ps rms
压控晶体(VCXO)±10ppm<0.3ps rms
扩频时钟(SSC)±3000ppm~5ps rms
系统参考(Spread)±100ppm~2ps rms

7.2 SSC(扩频时钟)对CDR的影响

SSC通过调制时钟频率降低EMI峰值,但增加了CDR的跟踪负担:

附录:设计参数速查表

参数符号典型值单位
IO电压(3.3V)VDDIO3.0-3.6V
IO电压(1.8V)VDDIO1.62-1.98V
核心电压VDD0.9-1.2V
ESD二极管VfVf0.6-0.8V
GGNMOS Vt1Vt16-10V
GGNMOS VhVh3-5V
GGNMOS It2It28-15mA/μm
SCR VhVh1-2V
SCR It2It250-80mA/μm
RC钳位时间常数τ0.5-2μs
施密特Vt+Vt+2.0V
施密特Vt-Vt-1.3V
焊盘电容Cpad2-5pF
焊线电感Lwire1-5nH
CML驱动电流Itail4-16mA
差分阻抗Zdiff85-100Ω
HBM 2kV峰值电流Ipeak1.33A
HBM 4kV峰值电流Ipeak2.67A
CDM 500V峰值电流Ipeak5-15A
LVTTL VIH(min)VIH2.0V
LVTTL VIL(max)VIL0.8V
📋 关键公式速查
📖 推荐参考资料
  1. Amerasekera & Duvvury, ESD in Silicon Integrated Circuits, Wiley
  2. Dabral & Maloney, Basic ESD and I/O Design, Wiley
  3. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill
  4. Li Yuan, High Speed SerDes Design, Springer
  5. JEDEC JS-001: HBM ESD Test Standard
  6. JEDEC JS-002: CDM ESD Test Standard
  7. PCI Express Base Specification, PCI-SIG
  8. USB 2.0/3.0 Specification, USB-IF