16 - SERDES概述

🎯 课程目标

1. SERDES的基本概念

SERDES(Serializer/Deserializer)是将并行数据转换为串行数据发送、接收后将串行数据恢复为并行数据的电路。它是现代高速IO接口(PCIe、USB3、SATA、以太网)的核心技术。

1.1 为什么需要SERDES?

并行IO的瓶颈

SERDES通过将并行数据串行化,用1-2对差分线替代数十根并行线,解决了上述问题。

1.2 SERDES架构总览

┌─────────────────────────────────────────────────────┐
│                  SERDES 收发器架构                     │
│                                                       │
│  发送路径 (TX):                                       │
│  ┌────────┐  ┌────────┐  ┌────────┐  ┌────────┐    │
│  │并行数据 │→│  串行器  │→│ 预加重  │→│ 差分驱动│→TX+/- │
│  │(N-bit) │  │(N:1 MUX)│  │  (FIR) │  │  (CML) │    │
│  └────────┘  └────────┘  └────────┘  └────────┘    │
│                                                       │
│  接收路径 (RX):                                       │
│  ┌────────┐  ┌────────┐  ┌────────┐  ┌────────┐    │
│  │并行数据 │←│ 解串器  │←│ CDR+判 │←│ 均衡器  │←RX+/- │
│  │(N-bit) │  │(1:N DMX)│  │ 决采样 │  │ (CTLE) │    │
│  └────────┘  └────────┘  └────────┘  └────────┘    │
│                                                       │
│  时钟系统:                                            │
│  ┌────────┐  ┌────────┐                             │
│  │  PLL   │  │  CDR   │                             │
│  │(TX时钟)│  │(RX时钟)│                             │
│  └────────┘  └────────┘                             │
└─────────────────────────────────────────────────────┘

2. 串行器与解串器

串行器将N位并行数据转换为1位串行数据流;解串器执行相反操作。

2.1 串行器架构

常用方案:多级MUX树 + 移位寄存器

2.2 解串器架构

常用方案:多级DMUX树 + 采样寄存器

3. 时钟嵌入与恢复

SERDES不单独传输时钟信号,而是将时钟信息嵌入数据流中。接收端通过CDR(Clock and Data Recovery)从数据中恢复时钟。

3.1 时钟嵌入原理

关键前提:数据必须有足够的跳变(0→1或1→0),CDR才能跟踪时钟频率。使用线路编码确保跳变密度:

编码效率跳变密度应用
8b/10b80%≥3次/10bitPCIe 1/2, USB3, SATA
64b/66b97%每66bit有同步头PCIe 3/4, 10G以太网
128b/130b98.5%每130bit有同步头PCIe 5/6
NRZ(无编码)100%依赖数据短距芯片间

4. 眼图与抖动分析

眼图(Eye Diagram)是评估SERDES信号质量的核心工具,将所有比特周期的波形叠加显示。

4.1 眼图关键参数

参数定义要求
眼高眼图在采样点的垂直开度> 最小判决阈值×裕量
眼宽眼图在判决电平的水平开度> 1 UI × 裕量
抖动信号边沿相对于理想位置的时间偏差总抖动TJ < 1 UI
误码率(BER)错误比特数/总比特数< 10⁻¹² (标准) 或 10⁻¹⁵ (高速)

4.2 抖动分解

总抖动 (TJ)
├── 随机抖动 (RJ) — 高斯分布,无法完全消除
│   ├── 热噪声
│   ├── 散粒噪声
│   └── 1/f噪声
│
└── 确定性抖动 (DJ) — 有界,可补偿
    ├── 数据相关抖动 (DDJ)
    │   ├── 码间干扰 (ISI)
    │   └── 占空比失真 (DCD)
    │
    ├── 周期性抖动 (PJ)
    │   ├── 电源纹波
    │   ├── 串扰
    │   └── 参考时钟杂散
    │
    └── 有界不相关抖动 (BUJ)
        ├── 串扰
        └── 电源噪声

5. SPICE仿真:眼图生成

* 16-eye-diagram.sp
* 眼图仿真 - 3.125Gbps NRZ信号

* 伪随机数据源
Vdata data 0 pwl(0 0 0.16n 0 0.32n 1 0.48n 1 0.64n 0 0.80n 1
+ 0.96n 0 1.12n 0 1.28n 1 1.44n 0 1.60n 1 1.76n 1
+ 1.92n 0 2.08n 0 2.24n 1 2.40n 0 2.56n 0 2.72n 1)

* 差分驱动器
Vdd vdd 0 1.0
Itail vdd ntail 4m
Mn1 out_p data ntail 0 nch W=40u L=0.1u
Mn2 out_n data_b ntail 0 nch W=40u L=0.1u

* 差分输出
R1 out_p 0 50
R2 out_n 0 50
C1 out_p 0 0.5p
C2 out_n 0 0.5p

.tran 0.01n 3n
.measure tran vswing PP V(out_p) FROM=0.5n TO=2.5n
.print tran V(out_p) V(out_n)
.end
✅ 仿真验证结果

SERDES眼图仿真关键发现:

6. 链路预算分析

链路预算评估从发送器到接收器的完整信号路径质量:

环节损耗/贡献典型值(10Gbps)
TX输出摆幅+800-1000mVppd
封装损耗-1-3dB @ Nyquist
PCB走线损耗-5-20dB @ Nyquist
连接器损耗-1-2dB
RX灵敏度-50-100mVppd
均衡增益+5-15dB

7. 练习

📝 练习1:链路预算计算

一个10Gbps SERDES链路:TX摆幅=900mVppd,封装损耗=2dB,PCB损耗=12dB,连接器损耗=1.5dB,RX灵敏度=80mVppd。不使用均衡时链路是否可行?需要多少均衡增益?

查看答案

总损耗 = 2+12+1.5 = 15.5dB

RX端信号 = 900mV × 10^(-15.5/20) = 900 × 0.168 = 151mVppd

不使用均衡:151mVppd > 80mVppd灵敏度 ✅ 看似可行

但考虑抖动裕量:实际需要6dB以上裕量 → 151mV不够

需要均衡增益 ≈ 6dB,使有效信号达到 151×2 = 302mVppd

8. 关键要点总结

🔑 本章核心要点
  1. SERDES用1-2对差分线替代数十根并行线,解决引脚数量和同步问题
  2. 串行器使用多级MUX树,解串器使用CDR+采样+字对齐
  3. 时钟嵌入在数据流中,CDR从数据恢复时钟
  4. 眼图是信号质量的核心评估工具,眼高和眼宽决定BER
  5. 抖动分为RJ(高斯,不可消除)和DJ(有界,可补偿)
  6. 链路预算分析确定发送器、信道、接收器和均衡的参数分配

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7. SERDES标准对比

不同应用使用不同的SERDES标准,各有特点:

标准速率/laneLane数编码均衡应用
PCIe Gen416GT/sx1-x16128b/130b3-tap TX+CTLE+DFE计算机
USB 3.210Gbps1-2128b/132b2-tap TX+CTLE外设
SATA 3.06Gbps18b/10b1-tap TX+CTLE存储
10G KR10.3Gbps1-464b/66b3-tap TX+CTLE+DFE以太网
DDR56.4Gbps-NRZDFE内存

8. SERDES IO的ESD保护

高速SERDES的ESD保护面临特殊挑战——ESD器件的寄生电容直接影响信号完整性。

SERDES ESD保护策略

9. PAM-4调制技术

PAM-4(4级脉冲幅度调制)是56Gbps+ SERDES的关键技术,每个符号携带2bit信息。

9.1 NRZ vs PAM-4

参数NRZPAM-4
符号速率56GBaud for 56Gbps28GBaud for 56Gbps
电平数24
信噪比损失0dB~9.5dB
信号摆幅满摆幅1/3摆幅(每级)
编码效率1 bit/UI2 bit/UI

9.2 PAM-4的挑战

附录:设计参数速查表

参数符号典型值单位
IO电压(3.3V)VDDIO3.0-3.6V
IO电压(1.8V)VDDIO1.62-1.98V
核心电压VDD0.9-1.2V
ESD二极管VfVf0.6-0.8V
GGNMOS Vt1Vt16-10V
GGNMOS VhVh3-5V
GGNMOS It2It28-15mA/μm
SCR VhVh1-2V
SCR It2It250-80mA/μm
RC钳位时间常数τ0.5-2μs
施密特Vt+Vt+2.0V
施密特Vt-Vt-1.3V
焊盘电容Cpad2-5pF
焊线电感Lwire1-5nH
CML驱动电流Itail4-16mA
差分阻抗Zdiff85-100Ω
HBM 2kV峰值电流Ipeak1.33A
HBM 4kV峰值电流Ipeak2.67A
CDM 500V峰值电流Ipeak5-15A
LVTTL VIH(min)VIH2.0V
LVTTL VIL(max)VIL0.8V
📋 关键公式速查
📖 推荐参考资料
  1. Amerasekera & Duvvury, ESD in Silicon Integrated Circuits, Wiley
  2. Dabral & Maloney, Basic ESD and I/O Design, Wiley
  3. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill
  4. Li Yuan, High Speed SerDes Design, Springer
  5. JEDEC JS-001: HBM ESD Test Standard
  6. JEDEC JS-002: CDM ESD Test Standard
  7. PCI Express Base Specification, PCI-SIG
  8. USB 2.0/3.0 Specification, USB-IF