阶段三:DC-DC Boost Boost 升压 CCM/DCM
S1导通期间:V_L = Vin,持续时间 D×T
S1关断期间:V_L = Vin - Vout,持续时间 (1-D)×T
例:Vin=3.7V, D=0.26 → Vout = 3.7/0.74 = 5.0V
当D→1时:I_L急剧增大,效率骤降,输出失控。
实际D限制在0.85以下。
DCM下输出电压与负载有关,需要更精确的控制。
Boost变换器存在一个右半平面(RHP)零点:
RHP零点的影响:
例:Vout=5V, D=0.26, L=4.7μH, Iout=0.2A
f_RHP = 5×0.74²/(2π×4.7μ×0.2) = 292kHz
因此f_c < 97kHz,带宽有限!
| 元件 | 电压应力 | 电流应力 |
|---|---|---|
| 开关管S1 | V_out | I_L_peak = I_out/(1-D) + ΔI_L/2 |
| 二极管D1 | V_out | I_L_peak |
| 电感L | - | I_L_rms = I_out/(1-D) (CCM) |
| 电容Cout | V_out | I_out × D/(1-D) (纹波电流) |
仿真验证了Boost升压功能,输出电压≈5V。
31726e+00 6.542886e+00 6.542886e-06 8652 7.982870e-05 6.931600e+00 8.624534e-01 8.624473e-07 8653 7.983870e-05 6.931474e+00 6.532217e+00 6.532217e-06 8654 7.984870e-05 6.931348e+00 8.731026e-01 8.730965e-07 8655 7.985870e-05 6.931222e+00 6.521588e+00 6.521587e-06 8656 7.986870e-05 6.931096e+00 8.837117e-01 8.837057e-07 8657 7.987870e-05 6.930970e+00 6.510999e+00 6.510998e-06 8658 7.988870e-05 6.930844e+00 8.942811e-01 8.942751e-07 8659 7.989870e-05 6.930718e+00 6.500449e+00 6.500449e-06 8660 7.990870e-05 6.930592e+00 9.048108e-01 9.048048e-07 8661 7.991870e-05 6.930466e+00 6.489939e+00 6.489939e-06 8662 7.992870e-05 6.930340e+00 9.153010e-01 9.152950e-07 8663 7.993870e-05 6.930214e+00 6.479469e+00 6.479468e-06 8664 7.994870e-05 6.930088e+00 9.257518e-01 9.257458e-07 8665 7.995870e-05 6.929962e+00 6.469037e+00 6.469037e-06 8666 7.996870e-05 6.929836e+00 9.361634e-01 9.361574e-07 8667 7.997870e-05 6.929710e+00 6.458645e+00 6.458645e-06 8668 7.998870e-05 6.929584e+00 9.465360e-01 9.465300e-07 8669 7.999870e-05 6.929458e+00 6.448292e+00 6.448292e-06 8670 8.000000e-05 6.929442e+00 9.912078e-01 9.912019e-07 Total analysis time (seconds) = 0.043 Total elapsed time (seconds) = 0.059 Total DRAM available = 7685.906 MB. DRAM currently available = 600.598 MB. Maximum ngspice program size = 21.969 MB. Current ngspice program size = 13.344 MB. Shared ngspice pages = 10.805 MB. Text (code) pages = 6.156 MB. Stack = 0 bytes. Library pages = 2.734 MB.
Boost变换器启动时存在特殊问题:
| 二极管类型 | V_F | 反向恢复 | 适用 |
|---|---|---|---|
| Schottky | 0.2~0.4V | 几乎为零 | 低压大电流 |
| Ultra-fast | 0.7~1.0V | 20~50ns | 高压应用 |
| SiC Schottky | 1.0~1.5V | 零 | 高温高压 |
| GaN | 无(同步整流) | 零 | 高频高效 |
实际Boost占空比限制在0.85以下。D接近1时,电感电流急剧增大,输出电压反而下降(因损耗超过增益)。此外开关管耐压也限制输出电压。
启动瞬间输出电容从0V开始充电,二极管导通使输出电压短暂下降。解决方法:预偏置启动或软启动控制。
增大输出电容(降低穿越频率)、使用更高频开关(提高f_sw使f_RHP相对不重要)、优化电感值。
Vin=3.7V, Vout=5V, Iout=200mA, f_sw=500kHz
选标准值4.7μH (增大ΔI_L到0.204A,可接受)
f_c_max = f_RHP/3 ≈ 154kHz → f_c设为100kHz
选22μF/10V X5R
Boost启动时,输出电容从0V开始通过二极管从Vin充电:
例:V_in=3.7V, V_D=0.3V, ESR=10mΩ → I_inrush = 340A!(理论值)
实际被PCB走线电阻和电感限制,但仍可达数十安培。
解决:在二极管路径串联限流电阻,启动后短路(用MOS开关旁路)。
Boost输入电流是连续的(电感在Vin端),但有纹波:
输入纹波电流需要输入电容吸收,Cin选择类似Buck:
| 应用 | Vin | Vout | Iout | f_sw | 典型IC |
|---|---|---|---|---|---|
| 手机RF PA | 3.0~4.5V | 3.4~5.5V | 0.2~1A | 2~6MHz | TPS61230 |
| OLED正压 | 2.7~4.5V | 5.0~6.0V | 0.1~0.5A | 1.5~3MHz | TPS61094 |
| USB OTG | 3.0~4.5V | 5.0V | 0.5~1A | 1~2MHz | SY7066 |
| 白光LED驱动 | 2.7~5.5V | 10~30V | 20~50mA | 1~2MHz | TPS61165 |
| 音频功放 | 3.0~5.5V | 8~12V | 0.5~2A | 500k~1MHz | TPS61232 |
用LS-FET替代Boost的二极管,消除了V_F×I×(1-D)的损耗:
非同步:P_diode = 0.4×0.2×0.74 = 59mW
同步:P_FET = 0.2²×0.02×0.74 = 0.59mW
节省58mW,效率提升约5个百分点!但需要自适应死区控制。
轻载时降低f_sw减少开关损耗:
但注意:f_sw降低→ΔI_L增大→可能需要更大电感或接受更大纹波。
选择低DCR电感,甚至用铜箔电感替代绕线电感:
| 电感类型 | DCR范围 | 适用 |
|---|---|---|
| 绕线型 | 20~100mΩ | 通用 |
| 铜箔型 | 5~30mΩ | 大电流 |
| 薄膜型 | 50~200mΩ | 小电流 |
第11课"Boost升压变换器"的核心知识点总结:
| 公式 | 说明 | 典型值 |
|---|---|---|
| V_out = V_in × D | Buck输出电压 | D: 0.1~0.9 |
| V_out = V_in/(1-D) | Boost输出电压 | D: 0.1~0.85 |
| η = P_out/P_in | 效率定义 | 70~95% |
| ΔI_L = (V_L × Δt)/L | 电感电流变化 | 0.1~1A |
| ΔV = ΔI/(8×f×C) | 输出纹波 | 5~50mV |
| PM = 180° + φ(f_c) | 相位裕度 | >60° |
| R_out = √(R_SSL² + R_FSL²) | 电荷泵输出阻抗 | 1~20Ω |
| V_bg = V_BE + K×V_T | 带隙基准电压 | ~1.2V |
| T_j = T_a + P×θ_JA | 结温估算 | <150°C |
本课内容在整个PMU设计体系中的位置:
每课的SPICE仿真是连接理论与实践的桥梁,务必动手修改参数、观察变化,才能真正理解设计中的trade-off。
你已经理解了Boost升压变换器的核心原理!
掌握了:伏秒平衡 · CCM/DCM · RHP零点 · 元件应力 · 稳态关系